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APT50GN60BDQ2G

IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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APT50GN60BDQ2G Microsemi / Microchip Technology
Stück
ID Code:185727
Hersteller:Microsemi / Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 7,2461 €
Preis ohne MwSt. : 5,9885 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: APT50GN60BDQ2G
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IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT50GN60BDQ2G 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:!_to-247ad_3_! 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:!_single 1*(t+d)_! 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:12.98 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)107 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)107 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)64 [A]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.45 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)366  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)22 [ns]
tr (Turn-on / rise time)25 [ns]
tf (turn-off=fall time)100 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.015 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)325 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3200 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.41 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.67 [°C/W]
Anzahl der Stifte
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:IXXH75N60B3D1 
Alternative Produkte 2:IXXH50N60B3D1 

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