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APT60GF120JRDQ3

Trans IGBT Module N-CH 1200V 149A 625000mW

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APT60GF120JRDQ3 Microchip Technology
APT60GF120JRDQ3 Microchip Technology
APT60GF120JRDQ3 Microchip Technology
Stück
ID Code:187863
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 157,1355 €
Preis ohne MwSt. : 129,8640 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT60GF120JRDQ3
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT60GF120JRDQ3 
Art der Komponente:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single 1*(T+D) 
Konstruktion:1*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)149 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)149 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)79 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)625  [W]
tr (Turn-on / rise time)100 [ns]
tf (turn-off=fall time)38 [ns]
Qg (Total Gate Charge)685 [nC]
Cin/CL Load Capacitance7080 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.2 [°C/W]
RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
Anzahl der Stifte
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

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