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APTM120A15FG

MOSFET Half Bridge1200V/60A

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APTM120A15FG Microsemi / Microchip Technology
APTM120A15FG Microsemi / Microchip Technology
Stück
ID Code:185810
Hersteller:Microsemi / Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 378,0664 €
Preis ohne MwSt. : 312,4516 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APTM120A15FG
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPTM120A15FG 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_modul-sp6_! 
KategorieFET N-Channel 
Konfiguration:!_half bridge_! 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:300 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)60 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)60 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)45 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1250  [W]
Input Logic Level (Ugs level)30V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)175 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)320 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf (turn-off=fall time)45 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.05 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)748 [nC]
Cin/CL Load Capacitance20600 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc (case)0.1 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.08 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.14 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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