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APTM120UM70DAG

MOSFET Single 1200V/171A with Series diodes

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APTM120UM70DAG Microchip Technology - Microsemi
APTM120UM70DAG Microchip Technology - Microsemi
Stück
ID Code:185819
Hersteller:Microchip Technology - Microsemi
Preis inkl. MwSt. : 414,7480 €
Preis ohne MwSt. : 342,7669 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APTM120UM70DAG
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPTM120UM70DAG 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_modul-sp6_! 
KategorieFET N-Channel 
Konfiguration:!_single 1*(t+d)_! 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:300 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)171 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)171 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)126 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.5 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)5000  [W]
Input Logic Level (Ugs level)30V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)80 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)400 [ns]
tr (Turn-on / rise time)17 [ns]
tf (turn-off=fall time)62 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.05 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)1650 [nC]
Cin/CL Load Capacitance43500 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc (case)0.025 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.08 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.14 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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