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APTMC170AM30CT1AG

Full SiC MOSFET 1700V / 74A

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APTMC170AM30CT1AG Microsemi / Microchip Technology
APTMC170AM30CT1AG Microsemi / Microchip Technology
APTMC170AM30CT1AG Microsemi / Microchip Technology
Stück
ID Code:186142
Hersteller:Microsemi / Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 1 525,1955 €
Preis ohne MwSt. : 1 260,4922 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APTMC170AM30CT1AG
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• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Kelvin source for easy drive
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPTMC170AM30CT1AG 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_modul-sp1f_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Konfiguration:!_half bridge_! 
Art des Materials:!_sic_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:80 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)100 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)100 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)74 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)700  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)35 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)70 [ns]
tr (Turn-on / rise time)75 [ns]
tf (turn-off=fall time)55 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.03 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)380 [nC]
Cin/CL Load Capacitance7344 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.18 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.24 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:186224 - MSCSM170AM23CT1AG (MIS) 

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