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APT10M07JVFR

N-channel MOSFET SOT-227B , 0,007 Ohm, 100V / 225A

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APT10M07JVFR Microchip Technology
APT10M07JVFR Microchip Technology
APT10M07JVFR Microchip Technology
Stück
ID Code:186540
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 88,1466 €
Preis ohne MwSt. : 72,8484 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: APT10M07JVFR
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N-channel MOSFET SOT-227B , 0,007 Ohm, 100V / 225A
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT10M07JVFR 
KategorieFET N-Channel 
Art der Komponente:N_FET 1x single 
Konfiguration:Single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:!_enhancement mode_! 
Konstruktion:1*FET-BD 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseNo Info 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:33 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 100 [V]
Idc max (Tc/Ta=25°C)225 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)700  [W]
Input Logic Level (Ugs level)30V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)7 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)250 [ns]
tr (Turn-on / rise time)120 [ns]
tf (turn-off=fall time)40 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1050 [nC]
Cin/CL Load Capacitance21600 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc (case)0.18 [°C/W]
RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)38x25x12 [mm]

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