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APT10M07JVFR
N-channel MOSFET SOT-227B , 0,007 Ohm, 100V / 225A
| ID Code: | 186540 |
| Hersteller: | Microchip Technology |
| Preis inkl. MwSt. : | 88,1466 € |
| Preis ohne MwSt. : | 72,8484 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | APT10M07JVFR |
| Zentrallager Zdice: | 0 Stück |
| Externlager (Lieferzeit 5÷10 Tage): | 0 Stück |
| Einheit:: | Stück |
| !_prehled mnozstevnich slev_! | Anzahl | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
| 1 + | 72,8484 € | 88,1466 € | ||
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N-channel MOSFET SOT-227B , 0,007 Ohm, 100V / 225A
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | APT10M07JVFR |
| Kategorie | FET N-Channel |
| Art der Komponente: | N_FET 1x single |
| Konfiguration: | Single 1*(T-BD) |
| Spezifikationen: | !_enhancement mode_! |
| Konstruktion: | 1*FET-BD |
| Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 1 ks |
| Art des Materials: | !_si-silicon_! |
| Material Base | No Info |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| Gehäusetyp: | MODUL |
| Gehäuse: | SOT-227 |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 33 [g] |
| Verpackungstyp: | TUBE |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 10 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 100 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 225 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 700 [W] |
| Input Logic Level (Ugs level) | 30V |
| Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 7 [mΩ] |
| trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 250 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 120 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 40 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 1050 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 21600 pF |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -55 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
| Rthjc (case) | 0.18 [°C/W] |
| RM - Anschlussraster | 15 [mm] |
| RM1 - Abstand der Reihen | 12.7 [mm] |
| D - Ø (Außendurchmesser) | 4.1 [mm] |
| W - Breite | 25.3 [mm] |
| L - Länge | 38.1 [mm] |
| H - Höhe | 12 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 38x25x12 [mm] |