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DIM 450M1HS17-PA500

IGBT 1700V

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DIM 450M1HS17-PA500 Dynex Semiconductor
DIM 450M1HS17-PA500 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:185022
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 139,1020 €
Preis ohne MwSt. : 114,9603 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: DIM450M1HS17-PA500
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IGBT 1700V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM450M1HS17-PA500 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SEMIX-3p 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:!_half bridge_! 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseCu 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:345 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)450 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)450 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)3400 [V]
UF (maximum forward voltage)2.4 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
I2t (TC/TA=25°C)16.2 [1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)2270  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)65 [ns]
tf (turn-off=fall time)560 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.012 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)4400 [nC]
Cin/CL Load Capacitance42000 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.055 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.095 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:TG 450HF17M1-S300 
Alternative Produkte 1:TG450HF17M1-S300 

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