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DIM1000NSM33-TS000

IGBT Module 3300V/1000A Single, AlSiC ,

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DIM1000NSM33-TS000 Dynex Semiconductor
DIM1000NSM33-TS000 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:161208
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 883,0478 €
Preis ohne MwSt. : 729,7916 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:30 Stück
Herstellerkennzeichnung: DIM1000NSM33-TS000
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IGBT Module 3300V/1000A Single, AlSiC ,

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM1000NSM33-TS000 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:MODUL - N 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:!_singl-e 2*(t+d)_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1000 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)1000 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.4 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
I2t (TC/TA=25°C)320 [1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)10400  [W]
Esw (125°C)3900 [mJ]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)400 [ns]
tf (turn-off=fall time)520 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.001 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)17000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance170000 pF

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseALSiC 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rthjc (case)0.012 [°C/W]

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:899.9 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:FZ1000R33HE3 
Alternative Produkte 1:CM1000HC-66R 
Alternative Produkte 2:5SNA 1000N330300 

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