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DIM1000XSM33-TL001

IGBT Module 3300V/1000A Single, AlSiC, In Package Uisol=10,2kV

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DIM1000XSM33-TL001 Dynex Semiconductor
DIM1000XSM33-TL001 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:161272
Hersteller:Dynex Semiconductor
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MwSt.:21 %
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IGBT Module 3300V/1000A Single, AlSiC, In Package Uisol=10,2kV

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM1000XSM33-TL001 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:MODUL - X 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:!_singl-e 2*(t+d)_! 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1100 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1000 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)1000 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)10200 [V]
UF (maximum forward voltage)2.4 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)[V]
I2t (TC/TA=25°C)320 [1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)10400  [W]
Esw (125°C)4750 [mJ]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)430 [ns]
tf (turn-off=fall time)610 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.0008 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)17000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance170000 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rthjc (case)0.012 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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