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DIM1200ASM45-TS001

IGBT Modul 4500V/1200A Single, AlSiC, In Package Uisol=10,2kV

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DIM1200ASM45-TS001 Dynex Semiconductor
DIM1200ASM45-TS001 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:161266
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 1 314,1479 €
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MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: DIM1200ASM45-TS001
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IGBT Modul 4500V/1200A Single, AlSiC, In Package Uisol=10,2kV

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM1200ASM45-TS001 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:MODUL - A 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:!_singl-e 3*(t+d)_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 4500 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1200 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)10200 [V]
UF (maximum forward voltage)2.8 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.7 [V]
I2t (TC/TA=25°C)460 [1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)12500  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)350 [ns]
tf (turn-off=fall time)600 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.0008 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)17000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance150000 pF

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseALSiC 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rthjc (case)0.008 [°C/W]

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1700 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:FZ1200R45KL3_B5 
Alternative Produkte 2:CM1200HG-90R 

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