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FD200R12KE3

IGBT 1200V

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FD200R12KE3 Infineon (Siemens)
FD200R12KE3 Infineon (Siemens)
Stück
ID Code:161598
Hersteller:Infineon (Siemens)
Preis inkl. MwSt. : 141,0216 €
Preis ohne MwSt. : 116,5468 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: FD200R12KE3
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IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungFD200R12KE3 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SEMITRANS-3 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:!_low side_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:340 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)295 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)295 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.65 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)[V]
I2t (TC/TA=25°C)19 [1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1050  [W]
tr (Turn-on / rise time)90 [ns]
tf (turn-off=fall time)130 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.02 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)1900 [nC]
Cin/CL Load Capacitance14000 pF

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseCu 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rthjc (case)0.12 [°C/W]

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:SKM200GAL12E4 

!_souvisejici zbozi_! - FD200R12KE3

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Hersteller-Nr.: F05-AL2-62x106mm  
Menge [Stück]1+10+
EUR/Stück1,66021,5864
Gesamtbestand: 914
Hersteller: -  
RoHS
KvcAWG20-330-2.8-S-yellow KvcAWG20-330-2.8-S-yellow  
ID: 112542  
Menge [Stück]1+100+
EUR/Stück0,49360,4471
Gesamtbestand: 376
Hersteller: SEMIC CZ  
KvcAWG20-330-2.8-S-red KvcAWG20-330-2.8-S-red  
ID: 112541  
Menge [Stück]1+100+
EUR/Stück0,49360,4471
Gesamtbestand: 376
Hersteller: SEMIC CZ  
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