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MG150G2YL1

NPN-Bipolartransistor

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MG150G2YL1 Toshiba
MG150G2YL1 Toshiba
Nicht mehr auf Lager
ID Code:157374
Hersteller:Toshiba
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MG150G2YL1
Einheit:: Stück
NPN-Bipolartransistor

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMG150G2YL1 
Gehäusetyp:MODUL 
KategorieBipolar NPN Darlington 
Art der Komponente:!_npn-darlington_! 
Konfiguration:!_half bridge_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)150 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)150 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)700  [W]
gain - hFE100÷ 

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:376 [g]
VPE-Karton:10 

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:QM150DY-H 
Alternative Produkte 2:QM150DY-HK 
Alternative Produkte 3:KD324515 

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