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MSC080SMA120J

1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET in an SOT-227 package, Id = 37A

Stück
ID Code:187567
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 41,1994 €
Preis ohne MwSt. : 34,0491 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSC080SMA120J
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSC080SMA120J 
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfiguration:single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:!_sic n-channel mosfet_! 
Konstruktion:1*FET-BD 
Art des Materials:!_sic full_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)37 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)37 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)26 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)200  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)100 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)34 [ns]
tr (Turn-on / rise time)[ns]
tf (turn-off=fall time)15 [ns]
Qg (Total Gate Charge)64 [nC]
Cin/CL Load Capacitance838 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc (case)0.27 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.75 [°C/W]
RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
Anzahl der Stifte
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

!_souvisejici zbozi_! - MSC080SMA120J

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages SOT-227, ISOTOP and in size 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Hersteller-Nr.: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Menge [Stück]1+10+50+100+
EUR/Stück0,73070,69010,64950,5683
Gesamtbestand: 1774
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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