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MSC100SM70JCU2

Boost Chopper Sic Mosfet Power Module 700V / 124A SOT-227

Stück
ID Code:188033
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 80,3883 €
Preis ohne MwSt. : 66,4366 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSC100SM70JCU2
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSC100SM70JCU2 
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfiguration:Low side 1*(Boost Chopper) 
Spezifikationen:!_sic n-channel mosfet_! 
Konstruktion:1*FET-BD+1*D 
Art des Materials:!_sic full_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 700 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)124 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)124 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)98 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (Rückstrom)400 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)365  [W]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)19 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)38 [ns]
tr (Turn-on / rise time)35 [ns]
tf (turn-off=fall time)20 [ns]
Qg (Total Gate Charge)215 [nC]
Cin/CL Load Capacitance4500 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.41 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.742 [°C/W]
RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
Anzahl der Stifte
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

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