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MSCMC170AM08CT6LIAG

Full SiC MOSFET 1700V + SiC Diode - Phase Leg

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MSCMC170AM08CT6LIAG Microchip Technology - Microsemi
MSCMC170AM08CT6LIAG Microchip Technology - Microsemi
Stück
ID Code:186152
Hersteller:Microchip Technology - Microsemi
Preis inkl. MwSt. : 4 966,0864 €
Preis ohne MwSt. : 4 104,2037 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCMC170AM08CT6LIAG
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MOSFET 1200V Full SiC Very Low Stray Inductance Phase Leg SiCThe following are the features of MSCSM120AM02CT6LIAG device:
. SiC power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. SiC Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Very low stray inductance
. Internal thermistor for temperature monitoring
. M4 and M5 power connectors
. M2.5 signals connectors
. AlN substrate for improved thermal performance
Appl.: Motor control

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCMC170AM08CT6LIAG 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_modul-t6li_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Art der Komponente:!_n-mosfet_! 
Konfiguration:!_half bridge_! 
Art des Materials:!_sic full_! 
Material BaseCu 
RoHSJa 
REACHJa 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:320 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)280 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)280 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)207 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1780  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)11.7 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)70 [ns]
tr (Turn-on / rise time)75 [ns]
tf (turn-off=fall time)55 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.06 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)11228 [nC]
Cin/CL Load Capacitance22000 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.07 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.086 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:186277 - MSCSM170AM058CT6LIAG (MIS) 

!_souvisejici zbozi_! - MSCMC170AM08CT6LIAG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Hersteller-Nr.: F05-AL2-62x106mm  
Menge [Stück]1+10+50+100+
EUR/Stück1,77621,69731,65781,4604
Gesamtbestand: 545
Hersteller: -  
RoHS
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