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MSCSM120A10CT1AG

Full SiC MOSFET 1200V / 24A

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MSCSM120A10CT1AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM120A10CT1AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM120A10CT1AG Microchip Technology - Microsemi
Stück
ID Code:186233
Hersteller:Microchip Technology - Microsemi
Preis inkl. MwSt. : 97,3240 €
Preis ohne MwSt. : 80,4331 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCSM120A10CT1AG
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• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM120A10CT1AG 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_modul-sp1f_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Konfiguration:!_half bridge_! 
Art des Materials:!_sic_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:80 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)30 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)30 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)24 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)146  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)100 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)31 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.05 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)64 [nC]
Cin/CL Load Capacitance838 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT1.03 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.55 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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