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MSCSM120AM03CT6LIAG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode

Stück
ID Code:185252
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 1 805,3426 €
Preis ohne MwSt. : 1 492,0186 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCSM120AM03CT6LIAG
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MOSFET 1200V Full SiC Very Low Stray Inductance Phase Leg SiCThe following are the features of MSCSM120AM03CT6LIAG device:
. SiC power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. SiC Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Very low stray inductance
. Internal thermistor for temperature monitoring
. M4 and M5 power connectors
. M2.5 signals connectors
. AlN substrate for improved thermal performance

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM120AM03CT6LIAG 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Art der Komponente:Modul 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Spezifikationen:!_sic n-channel mosfet_! 
Konstruktion:2*FET-BD+2*D 
Art des Materials:!_sic full_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_sp6li_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:350 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)805 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)805 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)640 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (Rückstrom)1200 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)3215  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)3.1 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2320 [nC]
Cin/CL Load Capacitance30200 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.047 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.126 [°C/W]
W - Breite 62 [mm]
L - Länge 108 [mm]
H - Höhe 22 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)108x62x22 [mm]

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I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Hersteller-Nr.: F05-AL2-62x106mm  
Menge [Stück]1+10+50+100+
EUR/Stück1,98621,90511,82411,7430
Gesamtbestand: 383
Hersteller: -  
RoHS
SP6CA1 SP6CA1   Adapter board for 1200V SP6LI SiC modules Microsemi controlled by Core Driver 2ACS-12A1HP
ID: 185302   Hersteller-Nr.: SP6CA1  
Menge [Stück]1+5+10+25+
EUR/Stück119,9027114,9088109,9124104,9165
auf Anfrage
Hersteller: Microchip Technology  
ASBK-014 ASBK-014   PIC Programmer Assembly Kit - Agileswitch SiC Core driver
ID: 185353   Hersteller-Nr.: ASBK-014  
Menge [Stück]1+5+10+25+
EUR/Stück239,2379229,2692219,3008209,3328
Gesamtbestand: 1
Hersteller: Microchip Technology  
RoHS
ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI   Accelerated Development Kit Driver Core for SiC modules 1200V 2x3W
ID: 185559   Hersteller-Nr.: ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI  
Menge [Stück]1+5+10+25+
EUR/Stück740,1257709,2874678,4491647,6105
auf Anfrage
Hersteller: Microchip Technology  
RoHS
ASBK-015 ASBK-015   Device Hardware Kit - SP6LI
ID: 185841   Hersteller-Nr.: ASBK-015  
Menge [Stück]1+5+10+25+
EUR/Stück228,8366219,3008209,7661200,2310
auf Anfrage
Hersteller: Microchip Technology  
RoHS
2ASC-12A2HP 2ASC-12A2HP   Dual-Channel Augmented Core 2 -1200V
ID: 189282   Hersteller-Nr.: 2ASC-12A2HP  
Menge [Stück]1+5+10+25+
EUR/Stück144,5602138,5371132,5136105,4070
auf Anfrage
Hersteller: Microchip Technology  
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