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MSCSM120HM083CAG

Full Bridge Sic Mosfet Power Module 1200V, 251A, Module-SP6C

Stück
ID Code:189179
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 1 165,8794 €
Preis ohne MwSt. : 963,5367 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCSM120HM083CAG
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM120HM083CAG 
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfiguration:Bridge 1f 
Spezifikationen:!_sic n-channel mosfet_! 
Konstruktion:4*FET-BD+4*D 
Art des Materials:!_sic full_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_sp6-41_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:330 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)251 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)251 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (Rückstrom)600 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1042  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)10.4 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Qg (Total Gate Charge)696 [nC]
Cin/CL Load Capacitance9000 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.144 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.34 [°C/W]
RM - Anschlussraster[mm]
Anzahl der Stifte 12 
W - Breite 62 [mm]
L - Länge 108 [mm]
H - Höhe 17 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)108x62x17 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse2,8 [mm]
Lv - Anschlusslänge[mm]

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