Fully controlled 3 phase bridge 1200V/167A
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | PSDT175-12 |
Ausführung: | Screw terminal |
Art der Komponente: | Bridge 3f Controlled |
Kategorie | Bridge Standard Si |
Konfiguration: | Bridge 3f-C |
Art des Materials: | !_si-silicon_! |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
Gehäusetyp: | MODUL |
Gehäuse: | SEMIPONT-4s |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 316 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 5 |
Elektrophysikalische Parameter:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 167 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 167 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
IR (Rückstrom) | 5000 [µA] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 1000 [V/µs] |
di/dt (critical rate of rise of on-state current) | 150 [A/µs] |
I2t (TC/TA=25°C) | 11.2 [1000*A2s] |
Thermische und mechanische Parameter:
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.46 [°C/W] |
W - Breite | 54 [mm] |
L - Länge | 94 [mm] |
H - Höhe | 30 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | 94x54x30 [mm] |