SKM200GB12F4SiC2
IGBT 1200V Hybrid SiC
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| ID Code: | 173633 |
| Hersteller: | Semikron |
| Preis: | auf Anfrage |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | SKM200GB12F4SiC2 |
| Einheit:: | Stück |
| !_prehled mnozstevnich slev_! | Anzahl | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
IGBT 1200V Hybrid SiC
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | SKM200GB12F4SiC2 |
| Gehäusetyp: | MODUL |
| Gehäuse: | SEMITRANS-3 |
| Kategorie | IGBT Hybrid SiC |
| Konfiguration: | !_half bridge_! |
| Art des Materials: | !_sic hybrid_! |
| Material Base | Cu |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 325 [g] |
| Verpackungstyp: | BOX |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 12 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 312 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 312 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 239 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.74 [VDC] |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.06 [V] |
| Ft (transition/operation frequency) (@Inom.) | 0.03 [MHz] |
| Qg (Total Gate Charge) | 1134 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 12300 pF |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.115 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.21 [°C/W] |
| Abmessungen der Anschlüsse | 0.00 [mm] |
Alternativen und Ersätze
| Alternative 1: | 185571 - SKM200GB12F4SiC3 (SMK) |
!_souvisejici zbozi_! - SKM200GB12F4SiC2
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I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm ID: 176035 Hersteller-Nr.: F05-AL2-62x106mm
| Gesamtbestand: 761 Hersteller: - |
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KvcAWG20-330-2.8-S-yellow ID: 112542
| Gesamtbestand: 313 Hersteller: SEMIC CZ |
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KvcAWG20-330-2.8-S-red ID: 112541
| Gesamtbestand: 313 Hersteller: SEMIC CZ |
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