2000V 115A/Tc100°C Thread=C ,Rthjc=0,4K/W
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | SKNa86/20UNF |
Gehäusetyp: | !_studb_! |
Gehäuse: | !_m 8 do-5_! |
Kategorie | Diode Avalanche |
Art der Komponente: | !_diode avalanche_! |
Konfiguration: | !_single (1d) ba_! |
Spezifikationen: | Bonded contacts |
Art des Materials: | !_si-silicon_! |
Luftspalt (nach Artikelnummer) | 999.99 [mm] |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 20 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 36 |
Elektrophysikalische Parameter:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1800 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 115 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 115 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 1.2 [VDC] |
I2t (TC/TA=25°C) | 11250 [1000*A2s] |
Thermische und mechanische Parameter:
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 180 [°C] |
Rthjc (case) | 0.4 [°C/W] |
Anzahl der Stifte | 2 |
Abmessungen der Anschlüsse | 0.00 [mm] |
G1 Gewinde: | M 8.0 |
Alternativen und Ersätze
Alternative Produkte 1: | DSAI 75-12B |
Alternative Produkte 2: | DSAI75-18A |
Alternative Produkte 3: | DSAI75-14A |
Alternative Produkte 4: | DSAI 75-16A |